2011年7月25日 星期一

Google 快訊 - 台積電

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更正:有關英特爾與台積電的3D晶片報導
電子工程專輯
英特爾預備今年稍晚發佈採用其3D電晶體的晶片(英特爾稱之為三閘極電晶體[tri-gate transistor]),而台積電和其他業者也努力開發以矽穿孔(TSV)技術為基礎的3D技術,TSV是透過垂直穿過晶片的方法,在同一封裝中連接多層晶片。 儘管外貿協會該份報告的用語並不全然明確,但在 ...
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